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本公开的实施例总体涉及用于在半导体装置处理期间减少基板背侧损伤的设备和方法。在一个实施方案中，一种在基板处理腔室中吸附基板的方法包括以下步骤：在将吸附电压施加到基板支撑件之前将基板暴露于等离子体预热处置。在一个实施方案中，提供了一种基板支撑件，并且所述基板支撑件包括主体，所述主体具有设置在其中的电极和热控制装置。多个基板支撑特征形成在主体的上表面上，基板支撑特征中的每一个基板支撑特征具有基板支撑表面和圆形边缘。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113994463 A
(43)申请公布日 2022.01.28
(21)申请号 202080041770.4 (74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公
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