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本申请公开了一种低位错密度的碳化硅衬底及其制备方法，属于半导体材料领域。该碳化硅衬底为尺寸不小于100mm的4H多型碳化硅衬底，所述碳化硅衬底具有第一主表面和与所述第一主表面相反的第二主表面；所述第一主表面具有中心区域和围绕所述中心区域的环形区域，所述环形区域为自衬底边缘向内延伸的宽度不小于5mm，所述环形区域为相对于{0004}面不大于0.06°的偏离角倾斜的面；所述环形区域内无小角晶界，所述环形区域的结晶质量的半高宽不大于20arcsec。该碳化硅衬底不仅边缘的环形区域的位错密度低，且中心区
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113957533 A
(43)申请公布日 2022.01.21
(21)申请号 202110947945.4
(22)申请日 2021.08.18
(71)申请人 山东天岳先进科技股份有限公司
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