一种基于倾斜表面光栅的大功率单侧出光半导体激光器.pdfVIP

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2023-04-23 发布于四川
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一种基于倾斜表面光栅的大功率单侧出光半导体激光器.pdf

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本发明公开了一种基于倾斜表面光栅的大功率单侧出光半导体激光器，其采用二阶的二维倾斜表面光栅结构的PCSEL，具有多层结构，自下而上依次包括n电极层(1)、衬底层(2)、n包层(3)、n波导层(4)、量子阱或多量子阱有源层(5)、p波导层(6)、p包层(7)、欧姆接触层(8)、p电极层(9)。二维倾斜表面光栅结构被环绕在环形p电极层(9)之中，设置在欧姆接触层(8)之上，倾斜角度在0至50度之间，设有多个出射光孔，既提供水平方向的分布反馈作用，又提供垂直方向的衍射出光作用，还提供单侧出光作用。该P

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113991424 A (43)申请公布日 2022.01.28 (21)申请号 202111237314.X (22)申请日 2021.10.22 (71)申请人清华大学地址 10