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本发明公开了一种单极差分逻辑静态随机存取存储单元及随机存取存储器，其中随机存取存储单元包括：单极差分逻辑反相器，包括主电路和辅助上拉通路，所述主电路中采用交叉耦合的下拉管形成正反馈结构，以减少静态功耗；门控管模块，包括写开关和读开关，当写开关导通时，所述单极差分逻辑静态随机存取存储单元写入并存储数据；当读开关导通时，读出所述单极差分逻辑静态随机存取存储单元存储的数据。本发明的单极差分逻辑静态随机存取存储单元的下拉管采用交叉耦合的连接方式，形成正反馈结构，使得稳定状态下电源到地总存在关闭的TFT，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113971970 B
(45)授权公告日 2022.08.12
(21)申请号 202111066826.4 审查员 王浩同
(22)申请日 2021.09.13
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