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全铁电半导体PN结薄膜器件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-04-23 发布于四川
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全铁电半导体PN结薄膜器件及其制备方法.pdf

    一种全铁电半导体PN结薄膜器件，其自下而上依次包括：衬底、底电极、N型铁电层、P型铁电层和顶电极，或者衬底、底电极、P型铁电层、N型铁电层和顶电极；其中，所述N型铁电层由N型铁电材料形成，所述P型铁电层由P型铁电材料形成。本发明还提供一种制备本发明的全铁电半导体PN结薄膜器件的方法。本发明的全铁电半导体PN结薄膜器件可用于解决现有铁电存储器中数据存在破坏性读取的问题，同时实现了更加优异的电和光对铁电极化状态的非破坏性读取。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113990974 A (43)申请公布日 2022.01.28 (21)申请号 202010660606.3 (22)申请日 2020.07.10 (71)申请人 中国科学院物理研究所

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