一种MOS器件结构及制造方法.pdfVIP

下载本文档

3
0
约3.08万字
约 35页
2023-04-23 发布于四川
举报
版权申诉

一种MOS器件结构及制造方法.pdf

1、本文档共35页，其中可免费阅读34页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明提供一种MOS器件及制造方法：先通过沟槽刻蚀填充，在漂移区内引入第一掺杂类型超结区和第二掺杂类型超结区，利用沟槽刻蚀填充不引入显著热过程的特点，实现极小的超结单元元胞尺寸，提升器件功率密度，降低器件比导通电阻；再通过外延与离子注入结合的方式在超结区顶层引入动态特性调制区，通过调整离子注入的范围、剂量，容易地调整动态特性调制区的浓度及分布，来达到调整器件动态特性的目的。本发明与现有多次外延注入工艺相比，具有工艺简单、成本更低、器件元胞尺寸更小的优势；相比现有沟槽刻蚀填充工艺，能灵活地调整电容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113990757 A (43)申请公布日 2022.01.28 (21)申请号 202111254973.4 (22)申请日 2021.10.27 (71)申请人电子科技大学地址