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- 2023-04-23 发布于北京
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本申请提供一种太阳能电池及其制备方法,属于光伏技术领域。太阳能电池,其基底的背面具有交替分布的发射极区域和背表面场区域。发射极区域形成有发射极,发射极的材质为掺硼单晶硅。背表面场区域形成有背表面场;背表面场包括层叠分布的隧穿氧化层和多晶硅层,多晶硅层的材质为掺磷多晶硅,隧穿氧化层位于多晶硅层和多晶硅层之间。太阳能电池的正电极与发射极电性连接,太阳能电池的负电极于背表面场电性连接。太阳能电池的制备方法用于实现上述结构的太阳能电池的制备。该太阳能电池能够增大正面的受光面积并降低电子空穴对的复合速率,
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113990961 A
(43)申请公布日 2022.01.28
(21)申请号 202111256035.8 H01L 31/02 (2006.01)
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