一种应用于STT-MRAM的写验证电路.pdfVIP

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2023-04-23 发布于四川
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一种应用于STT-MRAM的写验证电路.pdf

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本发明公开了一种应用于STT‑MRAM的写验证电路，属于计算机存储技术领域。所述电路包括：写操作完成检测电路和写自终止电路；所述写操作完成检测电路用于判断写操作是否完成，并产生检测反馈信号COP；所述写自终止电路根据所述检测反馈信号COP产生写操作信号和终止写操作信号。本发明的写操作完成检测电路，根据写操作过程中STT‑MRAM状态的变化，实时监控写操作的状态，并产生检测反馈信号作用于写自终止电路，一旦检测到写操作完成，写自终止电路及时产生写驱动电路终止信号，关闭写驱动，结束写操作；本发明的写验

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113990366 A (43)申请公布日 2022.01.28 (21)申请号 202111264111.X (22)申请日 2021.10.27 (71)申请人江南大学地址 21