一种具有阶梯屏蔽环的垂直型Ⅲ族氮化物功率半导体器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-04-23 发布于四川
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一种具有阶梯屏蔽环的垂直型Ⅲ族氮化物功率半导体器件及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种具有阶梯屏蔽环的垂直型Ⅲ族氮化物功率半导体器件及其制备方法，由下自上依次包括阴极电极、重掺杂N型氮化物衬底区、轻掺杂N型氮化物漂移区、重掺杂P型氮化物区、阳极电极，在所述轻掺杂N型氮化物漂移区中重掺杂P型氮化物区下方嵌入有轻掺杂P型氮化物屏蔽环；通过大量仿真计算分析得知，在轻掺杂N型氮化物漂移区嵌入有轻掺杂P型氮化物屏蔽环，可以在保持器件尺寸不变的前提下，大幅度提高器件的反向耐压能力，同时反向漏电也得到了进一步的降低，使器件应用在更高电压场景下成为可能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113990918 A (43)申请公布日 2022.01.28 (21)申请号 202111184629.2 (22)申请日 2021.10.12 (71)申请人山东大学地址 25