用于半导体器件瞬态辐射感生电荷的测量方法、系统及装置.pdfVIP

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2023-04-23 发布于四川
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用于半导体器件瞬态辐射感生电荷的测量方法、系统及装置.pdf

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本发明公开了用于半导体器件瞬态辐射感生电荷的测量方法、系统及装置，方法包括将半导体测试器件固定在测试区域并通过直流电压源为半导体测试器件进行供电，通过辐照源诱发半导体测试器件产生感生信号；通过移动半导体测试器件，获取半导体测试器件发生单粒子瞬态脉冲信号的敏感位置，固定辐照源的入射位置，改变辐照源的入射能量，采集不同能量下的第一辐射感生信号；固定入射位置和入射能量，通过改变直流电压源的电压，采集不同电压下器件的第二辐射感生信号；根据第一辐射感生信号和第二辐射感生信号，获取半导体测试器件的瞬态辐射感

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113985240 A (43)申请公布日 2022.01.28 (21)申请号 202111264358.1 (22)申请日 2021.10.28 (71)申请人中国科学院国家空间科学中心