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本发明一种电压法测试扩散结深的方法,先对硅衬底片的上部分进行氧化,之后按设计的版图对氧化层进行光刻,图形的形状为正方形且呈阵列式分布,每行相邻的两个图形间距依次增加,每相邻两行的间距大于所述两行中任意两个相邻图形间距的最大值,最后去除光刻区域的氧化层和光刻时的光阻剂;在硅衬底片的光刻区域注入或掺入杂质,之后去除表面的氧化层;将两根探针与图示仪连接,按光刻图形间距从小到大的顺序,用两根探针在样片上相邻的两个光刻图形上进行测试,片击穿时继续在下一个相邻的两个光刻图形上测试,直到无法击穿时记录上一个的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113990767 A
(43)申请公布日 2022.01.28
(21)申请号 202111264807.2
(22)申请日 2021.10.28
(71)申请人 西安微电子技术研究所
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