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本发明提供了一种碳化硅沟槽MOSFET器件结构及加工方法，包括：碳化硅N+衬底、碳化硅外延N区、P井区、P+区、N+区、氧化层、栅极、栅氧、正面金属以及源极；碳化硅N+衬底上侧生长碳化硅外延N区；碳化硅外延N区上侧设置栅极和栅氧，栅极外侧部分设置栅氧；栅极上侧生长氧化层，栅极两侧设置P井区；P井区上侧和侧面设置N+区，P井区上设置P+区；P井区、P+区以及N+区上侧设置源极；源极和栅极上侧设置正面金属。本设计通过源区设置沟槽结构及多层外延工艺使器件在工作时栅电极下的峰值电场向源电极转移，降低了栅
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114005869 A
(43)申请公布日 2022.02.01
(21)申请号 202111307870.X
(22)申请日 2021.11.05
(71)申请人 北京
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