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本公开的实施例涉及集成光学传感器、成像系统以及电子设备。一种集成光学传感器,其特征在于,包括钉扎光电二极管,集成光学传感器包括:半导体衬底,包括:第一半导体区域,具有第一导电类型;第二半导体区域,具有与第一导电类型相对的第二导电类型;以及第三半导体区域,具有第二导电类型;其中第一半导体区域位于第二半导体区域与第三半导体区域之间;其中第三半导体区域与第二半导体区域相比更厚、更少掺杂并且更深地位于半导体衬底中;以及其中第三半导体区域包括硅和锗,其中锗具有第一浓度梯度。利用本公开的实施例,降低了少数载
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 218896638 U
(45)授权公告日 2023.04.21
(21)申请号 202121129725.2
(22)申请日 2021.05.25
(30)优先权数据
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