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- 2023-04-24 发布于北京
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本发明涉及晶态锡酸钡薄膜的制备方法，具体为一种利用磁场增强技术制备晶态锡酸钡薄膜的方法，使用衬底磁场增强型磁控溅射技术在室温衬底上沉积获得晶态锡酸钡薄膜；且可在透明玻璃、硅片等各种透明、非透明材料上均可以实现锡酸钡薄膜的晶体化过程；包括如下步骤：步骤1、衬底清洗；步骤2、室温磁控溅射镀膜获得非晶态锡酸钡薄膜；步骤2.1、使用机械泵和分子泵抽真空；步骤2.2、预溅射锡酸钡陶瓷靶材10分钟；步骤2.3、射频功率调整在30‑80瓦范围，真空内的气体氛围调整为氩气和氧气的混合气并使混合气的氧分压占比在3
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114015982 A
(43)申请公布日 2022.02.08
(21)申请号 202111304073.6
(22)申请日 2021.11.05
(71)申请人 常州工学院
地址 2
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