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本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供依次层叠的基底、栅介质层以及未掺杂的多晶硅层；进行热掺杂工艺，在所述多晶硅层内掺杂第一掺杂离子；进行离子注入工艺，在所述多晶硅层的预设区域内掺杂第二掺杂离子，在垂直于所述基底表面的方向上，所述预设区域与所述多晶硅层背离所述栅介质层的表面之间具有预设间距。本发明有利于减小半导体结构的电容等效厚度，增大半导体结构的电容。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114005744 A
(43)申请公布日 2022.02.01
(21)申请号 202010737116.9
(22)申请日 2020.07.28
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
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