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一种准一维冷原子源的制备装置。所述准一维冷原子源的制备主要利用漫反射激光冷却原子技术；所述制备装置主要包括真空腔体、光学系统和冷原子密度分布测量系统。所述真空腔的外表面覆盖有对要冷却原子所需冷却激光的高漫反射率材料的横向圆柱形石英玻璃腔体；所述光学系统主要包括冷却激光、再抽运激光和探测激光。冷却激光和再抽运激光进入真空腔体后形成各向同性的准一维冷却光场对其内的背景原子气体进行激光冷却，探测激光对冷却后的原子进行吸收法探测。所述冷原子密度分布测量系统主要包括一对可移动的亥姆霍兹线圈，通过沿着探测方
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114005571 A
(43)申请公布日 2022.02.01
(21)申请号 202111235256.7
(22)申请日 2021.10.22
(71)申请人 中国科学院上海光学精密机械研究
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