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本文中的各种实施方案涉及在反应性气体物质的存在下，将位于半导体衬底上的含金属进行烘烤的方法、装置和系统。例如，所述方法可包括将所述衬底接收于处理室中，所述衬底具有位于其上方的所述光致抗蚀剂层，其中所述光致抗蚀剂层包括含金属光致抗蚀剂材料；使反应性气体物质从气体源流动、通过气体输送管线、进入所述处理室中，以及将所述衬底暴露于所述处理室中的所述反应性气体物质；以及当将所述衬底暴露于所述反应性气体物质时，对所述光致抗蚀剂层进行烘烤。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114026497 A
(43)申请公布日 2022.02.08
(21)申请号 202080047683.X (74)专利代理机构 上海胜康律师事务所 31263
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