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- 2023-04-24 发布于北京
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本发明属于磁光电子器件领域,具体涉及一种基于磁场调控二维铁磁CrI3荧光手性的多波长磁编码器,其结构由下至上依次为基底、二维铁磁CrI3和SiO2微球腔,二维铁磁CrI3和SiO2微球腔构建了CrI3/microsphere结构,利用微球腔的透镜作用和增强屏蔽效应从而增强增益区域与光学模式之间的耦合,提高二维铁磁CrI3的自发辐射效率和荧光强度,近而实现了近红外回音壁模式发光的磁场控制和编码,其具有良好的稳定性和可重复性。本发明采用铁磁二维材料来制造磁敏感元件,使得磁编码器更小型化、集成化和低成
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114018297 A
(43)申请公布日 2022.02.08
(21)申请号 202111297848.1
(22)申请日 2021.11.04
(71)申请人 电子科技大学
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