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2023-04-24 发布于北京
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电子装置包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、源极电极、漏极电极、栅极电极、表面状态补偿层以及介电层。第二氮化物半导体层安置在第一氮化物半导体层上，且具有的带隙比第一氮化物半导体层的带隙更大。源极电极、漏极电极以及栅极电极安置在所述第二氮化物半导体层上。表面状态补偿层直接安置在所述第二氮化物半导体层上。介电层安置在表面状态补偿层上，并与表面状态补偿层接触，其中介电层与表面状态补偿层相比，介电层具有较低的介电常数。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114023819 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111365337.9 H01L 23/31 (2006.01)