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本发明公开了一种基于CMP刻蚀技术制备凹槽栅增强型HEMT器件的方法，包括：在用于制作HEMT器件的外延片上设置掩模，并使势垒层的栅极区域从所述掩模中暴露出；对所述外延片设置有掩模的一侧表面进行抛光处理，其中采用的抛光液还能选择性腐蚀所述势垒层，直至在所述势垒层中形成与栅极配合的凹槽结构。本发明通过采用化学抛光方式，可以无损伤地选择性刻蚀HEMT器件外延结构中的势垒层而形成与栅极配合的凹槽结构，不仅工艺简单、成本低廉、可控制性及重复性高，而且能有效降低器件结构的刻蚀损伤，获得更小的栅下表面粗糙度
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114068329 A
(43)申请公布日 2022.02.18
(21)申请号 202111382039.0
(22)申请日 2021.11.19
(71)申请人 苏州能屋电子科技有限公司
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