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用于无机薄膜太阳能电池的p型半导体层的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-04-25 发布于四川
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用于无机薄膜太阳能电池的p型半导体层的制备方法.pdf

    本发明涉及利用真空溅射蒸镀法的无机薄膜太阳能电池及其制备方法，更具体地，涉及能够提高以吸收层周知的p型化合物半导体层的质量并缩短工序时间的用于无机薄膜太阳能电池的p型化合物半导体层的制备方法及包括通过上述方法制备的p型化合物半导体层的无机薄膜太阳能电池。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068737 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202110018910.2 (22)申请日 2021.01.07 (30)优先权数据

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