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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-04-25 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该方法包含：在基板上依序形成外延层及半导体层。在半导体层上形成图案化硬遮罩层。使用图案化硬遮罩层作为刻蚀遮罩，并刻蚀半导体层及外延层，以使外延层具有凹槽。移除图案化硬遮罩层。形成第一电极介电层于凹槽的侧壁及底面上且于半导体层上，以使第一电极介电层具有沟槽。形成第一电极于沟槽中。形成一对第二电极于第一电极上，以使该对第二电极沿着水平方向彼此对应地设置。形成第三电极于该对第二电极上。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068670 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202110422809.3 H01L 21/336 (2006.01) (22)申请日

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