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本发明属于柔性电子制备相关技术领域，其公开了一种柔性电子器件及其激光加工方法，包括以下步骤：(1)在透明基底上制备牺牲层，并通过图案化工艺在牺牲层上制备图案化结构；牺牲层的材料的热膨胀系数与图案化结构的材料的热膨胀系数之差大于10‑5K‑1；(2)在牺牲层暴露的区域及图案化结构上沉积得到功能层；(3)在功能层上沉积衬底层以得到柔性带电子器件的半成品，并采用激光束对透明基底进行扫描，激光束穿过透明基底而作用于半成品的其他结构；(4)对激光作用后的半成品进行机械分离以得到图案化的柔性电子器件。本发明
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114050216 A
(43)申请公布日 2022.02.15
(21)申请号 202111260305.2
(22)申请日 2021.10.28
(71)申请人 华中科技大学
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