一种平板探测器及其制造方法.pdfVIP

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2023-04-25 发布于四川
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本发明提供一种平板探测器及其制造方法，其包括第一TFT、第二TFT、下电极、光电转换层以及上电极；所述第一TFT包括第一多晶硅、第二多晶硅、第三多晶硅、与第一多晶硅连接的第一漏极、与第二多晶硅连接的第一源极以及第三多晶硅上方的第一栅极；所述第二TFT包括第二栅极、金属氧化物半导体层以及均与金属氧化物半导体层连接的第二源极和第二漏极；所述第二TFT的第二源极与第一TFT的第一源极直接相连；第三栅极在第一栅极上方，通过过孔相连，下电极通过过孔与第一栅极连接。本发明第一TFT为多晶硅TFT，其可以是N

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114038868 A (43)申请公布日 2022.02.11 (21)申请号 202111497169.9 (22)申请日 2021.12.09 (71)申请人南京迪钛飞光电科技有限公司