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具有集成功率晶体管和启动电路的III-V族半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-04-25 发布于四川
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具有集成功率晶体管和启动电路的III-V族半导体器件.pdf

    公开了一种基于III族氮化物半导体的异质结功率器件，包括：形成在衬底(4)上的第一异质结晶体管和形成在衬底上的第二异质结晶体管。第一异质结晶体管包括：第一III族氮化物半导体区，形成在衬底之上，其中，该第一III族氮化物半导体区包括第一异质结，该第一异质结包括至少一个二维载流子气；第一端子(8)，操作性地连接到第一III族氮化物半导体区；第二端子(9)，与第一端子横向间隔开并且操作性地连接到第一III族氮化物半导体区；以及第一栅极区(10)，在第一端子与第二端子之间的第一III族氮化物半导体区之

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114072908 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202080048419.8 马丁 ·阿诺德　 (22)申请日 2020.05.

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