1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

具有晶片到晶片接合结构的半导体装置及其制造方法.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约2.23万字
  • 约 24页
  • 2023-04-25 发布于四川
  • 举报

具有晶片到晶片接合结构的半导体装置及其制造方法.pdf

    本公开提供一种具有晶片到晶片接合结构的半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括：下晶片，其包括第一基板、限定在第一基板上的第一介电层以及限定在第一介电层中的第一布线线路；上晶片，其包括第二基板、限定在第二基板的上表面中的隔离层、接合到第一介电层的上表面的第二介电层、限定在第二基板的上表面上的第三介电层以及限定在第三介电层上的第二布线线路，其中，第二介电层覆盖第二基板的下表面并且包括限定在第二基板的下表面中的位于隔离层下方并且与隔离层接触的至少一部分；以及导通孔，其在第二布线线路下方穿过第三介电

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068485 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202110307259.0 (22)申请日 2021.03.23 (30)优先权数据 10-2020-0

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >