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三维存储器及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-04-25 发布于北京
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三维存储器及其制作方法.pdf

    本发明提供了三维存储器及其制作方法，三维存储器，包括：衬底；堆叠结构，堆叠结构包括第一存储区、阶梯区和第二存储区；阶梯区，包括：子阶梯区；隔墙结构；第一顶部选择阶梯结构，第一顶部选择阶梯结构包括沿第一横向分布的第一主台阶结构与第一副台阶结构，第一主台阶结构和第一副台阶结构在纵向上具有相对应层数和高度的第一栅极层；第一连接结构，第一连接结构连接第一主台阶结构和第一副台阶结构中相对应层数和高度的第一栅极层。通过第一连接结构连接第一主台阶结构和第一副台阶结构中的第一栅极层，能有效地减少第一连接结构的连

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114038859 A (43)申请公布日 2022.02.11 (21)申请号 202111352637.3 H01L 27/11548 (2017.01) (22)申请日

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