三维NAND存储器件及形成其的方法.pdfVIP

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2023-04-25 发布于四川
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三维NAND存储器件及形成其的方法.pdf

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提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括交替地堆叠在衬底上的字线层和绝缘层的堆叠。所述半导体器件还包括第一电介质沟槽结构。所述第一电介质沟槽结构被放置在所述字线层中的底部选择栅(BSG)层中以分隔所述BSG层并且在衬底的第一方向上延伸。所述半导体器件还包括第二电介质沟槽结构。所述第二电介质沟槽结构被放置在所述字线层中的顶部选择栅(TSG)层中以分隔所述TSG层并且在所述衬底的所述第一方向上延伸。所述第二电介质沟槽结构在垂直于所述第一方向的所述衬底的第二方向上与所述第一电介质沟槽结构偏离。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114038793 A (43)申请公布日 2022.02.11 (21)申请号 202111318884.1 (22)申请日 2020.01.21 (62)分案原申请数