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本发明公开一种肖特基二极管及其制作方法，所述肖特基二极管包括自下向上依次层叠设置的N型外延层以及势垒金属层，所述N型外延层的上侧形成有沿前后向延伸的沟槽，所述沟槽内填充有沟道结构，所述沟道结构包括栅氧化层、位于所述栅氧化层两侧的两个多晶硅层和位于所述两个多晶硅层两侧的两个P型轻掺杂层，所述N型外延层的上侧设有与所述P型轻掺杂层连接的P型重掺杂层，且所述P型重掺杂层与所述势垒金属层接触。本发明提供的肖特基二极管，正是利用P型重掺杂层与势垒金属层形成欧姆接触，P型轻掺杂层做电导调制层，在不影响肖特基
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114038905 A
(43)申请公布日 2022.02.11
(21)申请号 202111489484.7
(22)申请日 2021.12.07
(71)申请人 广微集成技术（深圳）有限公司
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