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一种LED外延生长方法.pdfVIP

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  • 2023-04-25 发布于北京
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一种LED外延生长方法.pdf

    本申请公开了一种LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长P型AlGaN层、H2处理、交替生长InxGa(1‑x)N/GaN发光层、生长AlInGaN/GaN超晶格层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却。本发明解决现有LED外延生长中存在的大电流注入下的亮度衰减问题，并有利于整个外延层材料生长平整，能够防止外延片表面开裂，减少外延片翘曲。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114038971 A (43)申请公布日 2022.02.11 (21)申请号 202111346844.8 (22)申请日 2021.11.15 (71)申请人 湘能

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