晶硅切割废料一步法连续制备多晶硅的方法.pdfVIP

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2023-04-25 发布于四川
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晶硅切割废料一步法连续制备多晶硅的方法.pdf

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本发明公开一种晶硅切割废料一步法连续制备多晶硅的方法，按照以下步骤进行实施：步骤1、对切割晶硅片废料进行预处理；步骤2、将预处理后的物料通过一步法连续制备装置依次进行真空下料、真空熔炼、真空浇铸、凝固提纯后，得到多晶硅。本发明的过程能够实现一步法连续生产、在线除杂、热料热送；合金产品纯度高、熔炼效率高，解决了现有晶硅废料分段除杂、回收率低、环保差的问题，提高成品率，降低了生产成本；生产流程全封闭、智能化、短流程；适合大规模产业化生产。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114045554 A (43)申请公布日 2022.02.15 (21)申请号 202111341597.2 (22)申请日 2021.11.12 (71)申请人陕西宝德赛肯光电材料有限公司