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本发明涉及在半导体阱上具有到掺杂半导体的雪崩结的集成电路结构。本公开的实施例提供了一种集成电路(IC)结构，其包括位于半导体衬底中的掺杂阱，以及位于掺杂阱中的基极区、发射极区和集电极区。绝缘材料位于掺杂阱内，其具有水平地邻近集电极区的第一端以及与第一端相对的第二端。掺杂半导体区位于掺杂阱内并邻近绝缘材料的第二端。掺杂半导体区被定位成跨掺杂阱在集电极区与掺杂半导体区之间限定雪崩结。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114068519 A
(43)申请公布日 2022.02.18
(21)申请号 202110879804.3
(22)申请日 2021.08.02
(30)优先权数据
16/983071
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