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本发明涉及芯片生产技术领域，且公开了一种用于发热电子元件制备用拉晶装置，包括支撑立柱，支撑立柱顶部的一侧固定安装有提起器，通过压缩弹簧Ⅰ和压缩弹簧Ⅱ均处于压缩的状态，使得晶核在与熔融状态下的熔硅料相接触时，若此时熔硅料的温度过高，此时与熔硅料相接触的晶核由于受到的温度高于自身的熔点而开始融化，使得晶核的总长度减小，此时通过压缩弹簧Ⅱ均处于压缩的状态，将晶核从固定套筒的内部顶出，保证晶核的底部能够一直保持与行程杆的底部相接触，使得晶核从固定套筒内部的伸出长度保持不变，避免了传统拉晶设备由于熔硅料的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 114059151 B
(45)授权公告日 2022.08.02
(21)申请号 202111372183.6 C30B 15/20 (2006.01)
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