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一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括共享接触区，基底上有栅极结构，栅极结构顶部有栅极盖帽层，栅极结构两侧有源漏掺杂区，源漏掺杂区顶部有堆叠的源漏互连层和源漏盖帽层；刻蚀共享接触区的源漏盖帽层或栅极盖帽层，形成贯穿源漏盖帽层或栅极盖帽层的第一沟槽；在第一沟槽中形成牺牲层，牺牲层的耐刻蚀度小于源漏盖帽层的耐刻蚀度；形成覆盖牺牲层、栅极盖帽层和源漏盖帽层的顶部介质层；在共享接触区中，刻蚀栅极结构顶部的顶部介质层、栅极盖帽层和牺牲层，或者，顶部介质层、牺牲层和源漏盖帽层，形成与第一沟槽相连通的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114068394 A
(43)申请公布日 2022.02.18
(21)申请号 202010760778.8 H01L 23/528 (2006.01)
(22)申请日
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