半导体装置及其制造方法.pdfVIP

  • 3
  • 0
  • 约1.89万字
  • 约 19页
  • 2023-04-25 发布于四川
  • 举报
半导体装置的半导体衬底的终端区域具有p型的多个保护环和多个第1扩散区域。在对上述半导体衬底进行平面观察时,与上述多个保护环的1个对应而配置有上述多个第1扩散区域的1个。在对上述半导体衬底进行平面观察时,上述多个保护环分别位于对应的上述第1扩散区域内。上述多个保护环各自的宽度比对应的上述第1扩散区域的宽度小。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114072922 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202080049387.3 (74)专利代理机构 永新专利商标代理有限公司

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档