一种磁存储器及其写入方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于四川
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一种磁存储器及其写入方法.pdf

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本发明公开了一种磁存储器及其写入方法，涉及磁存储领域，该磁存储器包括：基底和设置于所述基底之上的自旋耦合层，以及设置在所述自旋耦合层之上类场矩调控层和磁隧道结，所述类场矩调控层用于调控所述磁隧道结中产生的自旋轨道矩，实现对磁隧道结结构中自由层翻转所用的类场矩进行调控，进而实现对阻态翻转的调控。并且根据存储器在数据写入过程中实际的应用场景，通过改变对类场矩调控层退火条件，材料选取以及尺寸设计，实现对其类场矩大小和方向的量化固定，并在使用过程中结合对STT电信号方向的调控，进而对自由层反转起到促进或

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114079001 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202111319465.X (22)申请日 2021.11.09 (71)申请人北京航空航天大学地址