面向医疗应用的半导体硅基混合成像芯片及制备方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约2.41万字
约 24页
2023-04-26 发布于四川
举报
版权申诉

面向医疗应用的半导体硅基混合成像芯片及制备方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本申请提供一种面向医疗应用的半导体硅基混合成像芯片及制备方法，半导体衬底和第一像素单元，半导体衬底上设有第一可见光吸收区域，第一可见光吸收区域位于第一像素单元的下方，第一可见光吸收区域包括第一N型区、第二N型区、P型区、栅介质层以及栅电极层，第一N型区位于P型区的上方，且P型区和第一N型区相互接触，在P型区和第一N型区相接触的地方形成耗尽区，第二N型区与P型区并排布置，在P型区和第二N型区的下方设有栅介质层，栅介质层下方设有栅电极层，第一N型区、第二N型区、P型区、栅介质层以及栅电极层形成传输管

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 114122040 B (45)授权公告日 2022.04.22 (21)申请号 202210089057.8 G01J 5/24 (2006.01) (22)申请日 2