一种改善FDSOI外延生长的薄膜工艺优化方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于四川
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一种改善FDSOI外延生长的薄膜工艺优化方法.pdf

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本发明公开了一种改善FDSOI外延生长的薄膜工艺优化方法，其可减少栅极区与顶层硅相连接拐角处的残留薄膜，晶体管包括衬底，衬底上分布有主动区域、沟槽隔离区、栅极区，衬底包括N型硅衬底、P型硅衬底，主动区域上表面沉积第一层顶层硅，薄膜加工包括：在N型硅衬底、P型硅衬底上表面均沉积第一层薄膜，在P型硅衬底的第一层薄膜的上方设置掩膜版，对N型硅衬底上方的第一层薄膜进行刻蚀，在第一层顶层硅的表面沉积第二层顶层硅，在第二层顶层硅表面沉积第二层薄膜，刻蚀N型硅衬底上方的第二层薄膜，对第二层薄膜刻蚀后，在第二层

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 114121613 B (45)授权公告日 2022.04.22 (21)申请号 202210096866.1 (51)Int.Cl.