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2023-04-26 发布于四川
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本公开涉及一种图像传感器，其包括形成在半导体衬底(104)内部和顶部的多个像素(100)，每个像素包括：在所述半导体衬底中形成的光敏区域(102)；在所述半导体衬底中形成的存储区域(110T，110B)；和在所述光敏区域和所述存储区域之间的第一转移晶体管(112T，112B)，其中，所述第一转移晶体管包括栅极(118)，所述栅极在所述半导体衬底中从所述半导体衬底的顶面在界定所述存储区域的绝缘沟槽(106)内部垂直延伸。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114141796 A (43)申请公布日 2022.03.04 (21)申请号 202111033049.3 (22)申请日 2021.09.03 (30)优先权数据 20/08983