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光敏传感器及其制备工艺.pdfVIP

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  • 2023-04-26 发布于四川
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光敏传感器及其制备工艺.pdf

    本发明提供了一种光敏传感器，包括顶电极、底电极、支撑结构、隔离层、若干导电结构和若干倍增结构；所述若干倍增结构相对所述顶电极倾斜设置于所述隔离层并与所述若干导电结构一一对应电性连接，在所述顶电极和所述隔离层之间的空间内形成顶部朝向所述顶电极开口的若干加速腔结构，以接收入射的光电子并对所述入射的光电子进行加速和倍增形成二次光电子，从而使光电子在相邻的所述倍增结构之间的加速腔结构中加速，并撞击形成更多的光电子，从而形成放大信号，有利于提升对单光子探测的灵敏度，整个器件尺寸较小，集成度高，功耗可控。本

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114093742 A (43)申请公布日 2022.02.25 (21)申请号 202111410534.8 (22)申请日 2021.11.25 (71)申请人 上海集成电路研发中心有限公司

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