一种高温氧化裂解半导体部件表面有机沉积物的方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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一种高温氧化裂解半导体部件表面有机沉积物的方法.pdf

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本发明提供一种高温氧化裂解半导体部件表面有机沉积物的方法，属于半导体表面沉积物清洗领域，其包括如下步骤：S1：将预处理后的待清洗部件置于反应容器中，常温下晾干；S2：向步骤S1中所述的反应容器内加入浓硫酸；S3：向步骤S2中所述的反应容器内加入双氧水，双氧水与所述步骤S2中添加的浓硫酸体积比为3:1～1:3；双氧水的添加时间小于等于1秒；S4：自然冷却至室温后利用去离子水冲洗；通过上述技术方案，解决现有技术中半导体部件的表面沉积物清洗需求无法被满足的问题。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114141609 A (43)申请公布日 2022.03.04 (21)申请号 202111428389.6 (22)申请日 2021.11.26 (71)申请人上海宏科半导体技术有限公司