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本发明提供一种目标分子检测晶体管传感器及其制备方法，其中的目标分子检测晶体管传感器包括：基底以及依次设置在基底上的氧化埋层和顶部半导体层；其中，在氧化埋层上设置有基于顶部半导体层形成的漏区、源区，以及设置在漏区和源区之间且具有反复交叉点的网状纳米线结构沟道；在氧化埋层上还设置有位于漏区和源区之间的至少一个参考栅以及覆盖网状纳米线结构沟道的扩展栅；从漏区、源区和参考栅上分别引出金属传输线，形成对应的漏极、源极和参考栅极；并且，在参考栅或扩展栅的表面固定设置有至少一个可选择性捕捉目标分子的受体。利用
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114137377 A
(43)申请公布日 2022.03.04
(21)申请号 202111176393.8
(22)申请日 2021.10.09
(71)申请人 金波
地址 2140
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