集成电路器件及其形成方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于四川
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集成电路器件及其形成方法.pdf

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集成电路器件包括利用无氯前体形成的铁电层。该铁电材料可以是成分HFxZr1‑xO2。铁电层可以用于存储器器件，诸如铁电场效应晶体管(FeFET)。利用无氯前体形成的铁电层没有氯残留。氯的缺乏改善了与时间相关的介电击穿(TDDB)和偏置温度不稳定性(BTI)。本申请的实施例还涉及形成集成电路器件的方法。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114078860 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202110678214.4 H01L 27/11597 (2017.01) (22)申请日