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- 2023-04-26 发布于四川
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本发明提供了一种光敏传感器，包括顶电极、底电极、支撑结构、若干隔离层以及若干倍增结构。若干倍增结构相对所述顶电极倾斜设置于每层所述隔离层并与所述每层隔离层的导电结构对应电性连接，将每个子空腔结构分隔形成顶部朝向所述顶电极开口的若干加速腔结构，每个所述加速腔结构的底部开设通孔，以允许所述二次光电子通过，设置于不同所述隔离层的相邻加速腔结构中，靠近所述顶电极的一个加速腔结构的通孔作为靠近所述底电极的另一个加速腔结构的光电子入射口，使所述二次光电子实现连续加速和级联倍增并由所述底电极接收，提高集成度并
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114093741 A
(43)申请公布日 2022.02.25
(21)申请号 202111410349.9
(22)申请日 2021.11.25
(71)申请人 上海集成电路研发中心有限公司
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