半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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半导体结构及其形成方法.pdf

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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底、分立于衬底上的沟道结构、横跨沟道结构的栅极结构、位于栅极结构两侧沟道结构中的源漏掺杂层、位于栅极结构的侧部且覆盖源漏掺杂层的层间介质层以及位于层间介质层和栅极结构上的介电层；刻蚀介电层和层间介质层，形成露出源漏掺杂层的源漏开口，在以垂直于源漏开口侧壁的方向为横向，源漏开口各处的横向尺寸均一性较好，源漏开口不易露出栅极结构，在源漏开口中形成的初始源漏插塞的横向尺寸均一性较好，刻蚀初始源漏插塞，形成的源漏插塞的均一性较好，源漏插塞不易

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114078703 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202010821049.9 H01L 29/78 (2006.01) (22)申请日 2