三维存储器及其制造方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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三维存储器及其制造方法.pdf

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本发明提供了一种三维存储器及其制造方法。该方法包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交替层叠的栅极层和介电层；或者，所述堆叠结构包括交替层叠的伪栅极层和所述介电层，其中，所述栅极层可替代所述伪栅极层；在所述堆叠结构的栅线隙区中形成凹槽，其中，所述凹槽贯穿多层所述栅极层和所述介电层；或者，所述凹槽贯穿多层所述伪栅极层和所述介电层；在所述堆叠结构表面及所述凹槽中形成绝缘层，其中，所述凹槽上方的绝缘层相对远离所述衬底的表面具有凹陷；以及对所述绝

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114078871 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202111261694.0 H01L 27/11582 (2017.01) (22)申请日