三族氮基半导体晶圆.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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三族氮基半导体晶圆.pdf

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一种三族氮基半导体晶圆，其包括具有中央区域以及边缘区域的衬底。可以选择性提供一层或多层中间层，其选自缓冲层、种子层或转换层。边缘特征形成在衬底或转换层的边缘区域中或其上，其具有一层或多层边缘钝化层或边缘纹理化表面。边缘特征仅形成于边缘区域而不形成在中央区域。一层或多层三族氮化物层落在中央区域上方。在中央区域中，三族氮化物层为外延层，而在边缘区域中，三族氮化物层为多晶态层。在三族氮化物层和衬底之间因晶格失配以及热膨胀系数差异所产生的应力得以释放并使缺陷最小化。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114080692 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202180004132.X H01L 29/778 (2006.01)