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本发明提供一种基于背偏调制的半导体器件、制备方法及系统，通过具有双绝缘层的基底，可制备具有背偏电极及中间层的半导体器件，且在半导体器件中，中间层位于绝缘层之间，并与背偏电极电连接，从而通过对功率管的静态漏电监测，可确定功率管的散热背偏，并通过背偏电极可调节降低功率管的漏电功耗，减少漏电生热；进一步的P型或N型的中间层，还可作为功率管的热沉，从而实现对功率管的散热；进一步的位于绝缘层之间且独立设置的中间层，还可在背偏调制期间避免对其他元件造成影响，同时还可提供较大的调节范围。因此，本发明可有效解决
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 114121679 B
(45)授权公告日 2022.05.17
(21)申请号 202210103752.5 (51)Int.Cl.
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用户编号：7160061112000031
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