半导体结构及其制作方法.pdfVIP

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2023-04-27 发布于北京
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半导体结构及其制作方法.pdf

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本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构的制作方法包括：提供衬底，衬底包括相邻的阵列区和外围区，阵列区包括与外围区相连的缓冲区；在衬底上形成依次层叠的第一介质层、第一支撑层、第二介质层、第二支撑层以及第三介质层，第一支撑层至少位于外围区，第一介质层位于第一支撑层和衬底之间，第二介质层覆盖第一支撑层和衬底，第二支撑层以及第三介质层位于阵列区和外围区；在缓冲区内形成至少贯穿第三介质层以及第二支撑层的凹槽型下电极，凹槽型下电极的底面位于第一介质层内或者位于第二介质层内；采用湿法刻蚀工艺去

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114171463 A (43)申请公布日 2022.03.11 (21)申请号 202010956160.9 (22)申请日 2020.09.11 (71)申请人长鑫存储技术有限公司