一种具有平坦化绝缘层的LED芯片及其制作方法.pdfVIP

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2023-04-27 发布于北京
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一种具有平坦化绝缘层的LED芯片及其制作方法.pdf

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本发明提供了一种具有平坦化绝缘层的LED芯片及其制作方法，通过在制作金属接触层之前，在所述P型半导体层背离所述衬底的一侧形成平坦化绝缘层，所述平坦化绝缘层上具有第二凹槽结构，用于暴露出所述P型半导体层；之后，通过所述第二凹槽结构，在所述P型半导体层上设置金属接触层；并且，使所述金属接触层和所述平坦化绝缘层的厚度相同。也就相当于是，将金属接触层嵌入在平坦化绝缘层中，从而抵消了金属接触层带来的凸起形貌，进而在焊接电极完成后，P电极结构也不会存在一个凸起圆环，PN电极会大致处于一个水平高度，在长期的应

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114188447 A (43)申请公布日 2022.03.15 (21)申请号 202010961928.1 (22)申请日 2020.09.14 (71)申请人厦门乾照光电股份有限公司